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4英寸VGF GaAs单晶生长的数值模拟与实验研究

丁国强  苏小平  屠海令  张峰燚  涂凡  
【摘要】:利用数值模拟和实验相结合的方法,研究了4英寸VGF GaAs单晶的生长。首先基于炉体结构和所采用材料,建立一个和真实单晶生长系统接近的炉体模型。根据此模型,采用晶体生长模拟软件CrysMas计算得到整个炉体内的温度分布、晶体及熔体的温度梯度、界面位置等。通过对单晶生长不同时间点的模拟,制定了一套单晶的生长工艺。然后,严格遵循此工艺进行单晶生长实验。通过对实验和模拟结果的对比分析,建立了实验和数值模拟之间的联系,为进一步利用数值模拟指导晶体的实际生长提供了依据。最后,利用数值模拟研究了单晶生长中"边界效应",探讨了晶体生长过程中产生多晶的原因。

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