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利用离子注入技术制备新型结构SiC器件的展望

王守国  张岩  
【摘要】:作者介绍了SiC MESFET(metal-semiconductor field-effect transistor,金属半导体场效应晶体管)器件的优点和离子注入技术在SiC器件制备中的发展趋势,提出一种用离子注入技术制备新型结构的SiC MESFET器件的方法,讨论了这种新型结构的优点,最后给出用离子注入技术制备SiC MESFET器件的设计过程。

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