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电子束蒸发法制备TiO_2薄膜的折射率研究

李云  王六定  
【摘要】:用电子束蒸发法制备TiO2薄膜,并对其进行300℃、400℃、850℃热处理和掺杂。详细研究了工艺参数、热处理和掺杂对TiO2薄膜折射率的影响。实验结果表明:镀制高折射率的氧化钛薄膜最佳工艺参数为基片温度200℃、真空度2×10-2Pa、沉积速率0.2nm/s;随着热处理温度的升高,薄膜折射率也逐渐增大;适量掺杂CeO2(CeO2∶TiO2质量比1.7∶12)会提高薄膜的折射率,过量掺杂CeO2反而会降低折射率。

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