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注氧条件下GaAs中Ga~+二次离子发射的研究

莫志强  姜志雄  查良镇  
【摘要】:在有与没有Ar+同时轰击的条件下,研究了GaAs中Ga+2次离子发射的氧效应。对吸附在表面上的氧以及反弹注入到表面内的氧引起的Ga+二次离子产额增强效应进行了实验研究,同时测量了氧分压强对Ga+二次离子能量分布的影响。实验结果表明:注氧后Ga+二次离子能量分布变窄且最可见能量向低能端移动2~3eV,说明氧对低能Ga+二次离子的增强作用更强,这可以用断键模型来解释。

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