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新型无铅AgBiS_2纳米材料合成及在光电器件领域研究进展

谭李睿泽  暴净净  马婷  石宇星  邱桂兰  施玮  苏小丽  曾涛  陈云霞  
【摘要】:近年来,纳米尺度半导体材料由于其独特的物理化学性质在光电应用领域受到了广泛关注。在众多种类的纳米半导体材料中,I-Ⅲ-VI2/I-V-VI2族三元金属硫化物由于其带隙易调、能通过化学计量比调控能带结构、毒性较低、原料来源广泛以及价格低廉等特点引起许多研究者的研究兴趣。其中AgBiS2作为该材料体系代表之一,具有合适的带隙、较高的吸收系数、耐潮湿等优异等特性,作为光电器件有源层材料具有较好的发展前景。首先结合AgBiS2材料结构基本性质对其光电特性进行阐述,总结应用于光电领域的AgBiS2纳米材料多样合成钝化处理途径及其在光电应用领域最新进展,并对其未来发展过程可能遇到的问题进行探讨。

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