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Bi的A位掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷电性能的影响

徐玲芳  张宇  毛聪  杨昌平  
【摘要】:采用传统固相法制备了Bi掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷。采用X射线衍射分析了样品的相结构,采用介电温谱和Ⅰ-Ⅴ曲线研究了其介电和非线性特性。结果表明,Bi掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷均为立方相类钙钛矿结构。Bi的A位掺杂在保持陶瓷较高介电常数的同时使得其介电损耗有所降低,同时也导致非线性系数的降低,并认为晶粒晶界形成的阻挡层电容器结构对其巨介电特性及非线性行为有重要贡献。

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