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半导体激光退火原理

张魁武  
【摘要】:正激光退火技术开始主要用于修复离子注入损伤的半导体材料,特别是硅。传统的加热退火技术是把整个工件放在真空炉中,在一定的温度(300°~1200℃)保温退火10~60min。这种方法不能完全消除存在其中的缺陷,导致材料性能下降,基体发生分解,掺杂物质析出或污染表面等。20世纪80年代初期,激光退火的研究已相当活跃,经过20多年来不断发展,该技术的功能和用途得到了极大的拓宽。

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