GaN基MOSFET低温特性的实验表征及分析（英文）

【摘要】：深空探测活动需要电子元器件在极端低温环境(T40 K)中能正常使用。基于低温环境下的应用需求,本文研究了GaN基MOSFET在15～300 K温区的低温环境效应。实验结果显示,随着温度逐渐从300 K降低到15 K,饱和漏极电流和阈值电压均增大。低温下,转移特性和输出特性均变好。分析发现,较高的电子迁移率是GaN基MOSFET低温下电特性变化的主要原因。

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中国期刊全文数据库

前18条

1	张姚;易茂祥;王可可;吴清焐;丁力;梁华国;;一种降低电路泄漏功耗的多阈值电压方法[J];微电子学;2018年06期
2	张永欢;姜岩峰;;近阈值电压电路研究进展[J];微电子学;2016年01期
3	杨慧;郭宇锋;洪洋;;纳米器件阈值电压提取方法[J];功能材料与器件学报;2014年01期
4	肖志强;低阈值电压控制技术[J];微电子技术;1997年03期
5	袁剑峰,闫东航,许武;有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究[J];液晶与显示;2004年03期
6	刘勇;阈值电压的图象解释[J];韶关大学学报(自然科学版);1996年04期
7	辽川;;降低阈值电压的方法[J];微电子学;1972年05期
8	李海霞;毛凌锋;;二维短沟道MOSFET阈值电压分析模型[J];半导体技术;2009年03期
9	H.V.Winston ,吴仲华;衬底对砷化镓场效应晶体管阈值电压的影响[J];微电子学;1985年01期
10	刘一宁;王任泽;杨亚鹏;王宁;冯宗洋;贾林胜;张建岗;李国强;;金属氧化物半导体场效应晶体管中总剂量效应导致的阈值电压漂移研究现状[J];辐射防护;2020年06期
11	刘阿鑫;吕杭炳;刘璟;潘立阳;刘明;;一种消除阈值电压影响的高效率电荷泵[J];微电子学;2012年06期
12	张汉三;;能获得均匀阈值电压的GaAs栅SISFET[J];半导体情报;1985年01期
13	郑养鉥;方申庆;陈学良;杨华丽;;E/D MOSFET阈值电压的调节和控制[J];微电子学与计算机;1988年08期
14	段健;;埋氧厚度对硅膜阈值电压及硼杂质分布的影响[J];西安工程大学学报;2011年03期
15	周云波;施密特触发器电路及其改进[J];宝鸡文理学院学报(自然科学版);2002年02期
16	万新恒,张兴,高文钰,黄如,王阳元;低剂量辐照条件下的MOSFET因辐照导致的阈值电压漂移的模拟[J];北京大学学报(自然科学版);2002年01期
17	;阈值电压降到极限电路技术开拓新路[J];电子设计应用;2004年09期
18	顾盛光;程杨;王友彬;;X-RAY对MOSFET性能影响的研究[J];中国集成电路;2018年06期

中国重要会议论文全文数据库

前20条

1	张洪涛;郭雪峰;;界面修饰功能化有机场效应晶体管[A];2011中国材料研讨会论文摘要集[C];2011年
2	熊俊峰;刘祥远;郭阳;;基于多阈值电压技术的功耗优化方法研究[A];第十六届计算机工程与工艺年会暨第二届微处理器技术论坛论文集[C];2012年
3	郭云龙;狄重安;于贵;刘云圻;;薄膜微结构对有机光晶体管阈值电压的影响[A];全国第八届有机固体电子过程暨华人有机光电功能材料学术讨论会摘要集[C];2010年
4	黄新林;窦建华;;基于自适应体偏压技术的低功耗研究[A];全国第20届计算机技术与应用学术会议(CACIS·2009)暨全国第1届安全关键技术与应用学术会议论文集（下册）[C];2009年
5	ZHANG Rui-rui;LIN Shi-wei;Jian-jun LIAO;;Charge injection in regioregular poly-(3-hexythiophene) organic field-effect transistors with different metal electrodes[A];第八届中国功能材料及其应用学术会议摘要[C];2013年
6	Georg Bastian;Uli Lemmer;Alexander Colsmann;Ulf Geyer;Sven Schellinger;Marc Stroisch;;A new MOSFET[A];2005'全国微波毫米波会议论文集（第三册）[C];2006年
7	黄轲;杨涛;;基于GaN的宽带可重构功率放大器设计[A];2021年全国微波毫米波会议论文集（上册）[C];2021年
8	于庆奎;孙毅;张洪伟;梅博;李晓亮;吕贺;王贺;李鹏伟;唐民;王哲力;文平;;GaN功率放大器重离子辐照试验研究[A];中国核科学技术进展报告（第六卷）——中国核学会2019年学术年会论文集第7册（计算物理分卷、核物理分卷、粒子加速器分卷、核聚变与等离子体物理分卷、脉冲功率技术及其应用分卷、辐射物理分卷、核工程力学分卷、核测试与分析分卷）[C];2019年
9	张哲;陈波;杨伟;朱翰韬;蒲兴月;;基于GaN芯片S波段宽带功率放大器设计[A];2017年全国微波毫米波会议论文集（下册）[C];2017年
10	来继承;何杰;孙晨皓;周永兴;舒雄俊;文进才;;基于GaN器件应用于3G/4G的高效率功率放大器设计[A];2015年全国微波毫米波会议论文集[C];2015年
11	陈勇波;周建军;徐跃杭;国云川;徐锐敏;;GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究[A];2011年全国微波毫米波会议论文集（下册）[C];2011年
12	刘福浩;许金通;王玲;王荣阳;李向阳;;GaN基雪崩光电二极管及其研究进展[A];第十届全国光电技术学术交流会论文集[C];2012年
13	田吉利;张化宇;汪桂根;韩杰才;崔林;孙瑞;王立熠;;氢化物气相外延法生长GaN厚膜的数值模拟[A];第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-01晶体生长基础与数值模拟[C];2012年
14	刘战辉;修向前;张荣;谢自力;颜怀跃;施毅;顾书林;韩平;郑有炓;;氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算[A];第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
15	徐运华;张松;谢文青;亢勇;李雪;方家熊;;GaN紫外焦平面注入效率研究[A];2004全国图像传感器技术学术交流会议论文集[C];2004年
16	卢啸;徐跃杭;兰贵林;国云川;徐锐敏;;L波段GaN高效率功率放大器技术研究[A];2013年全国微波毫米波会议论文集[C];2013年
17	李诚瞻;魏珂;郑英奎;刘果果;庞磊;刘新宇;;检验GaN基外延材料质量的简易方法[A];第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
18	张森;李美成;国凤云;赵连城;;退火对ZnO/LiNbO_3中Nb扩散的影响[A];2009年先进光学技术及其应用研讨会论文集（上册）[C];2009年
19	姜丽娟;王晓亮;王翠梅;肖红领;冉军学;李晋闽;王占国;侯洵;;过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较[A];第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
20	李谊;刘琪;王立伟;王喜章;胡征;;具有高迁移率及低阈值电压特征的并五苯薄膜场效应晶体管的制备[A];中国化学会第28届学术年会第5分会场摘要集[C];2012年

中国博士学位论文全文数据库

前13条

1	黄伟;薄膜晶体管的功能层修饰与性能关系的研究[D];电子科技大学;2016年
2	聂国政;有机薄膜晶体管制备和性能研究[D];华南理工大学;2011年
3	王晓艳;应变Si载流子迁移率研究[D];西安电子科技大学;2012年
4	陶洪琪;微波毫米波GaN功率MMIC技术研究[D];东南大学;2018年
5	施媛媛;硅基GaN功率器件缺陷相关可靠性机理研究[D];电子科技大学;2019年
6	王彩玮;微纳图形衬底外延高质量非极性GaN的研究[D];中国科学院大学(中国科学院物理研究所);2019年
7	郝瑞荣;单片微波混合集成功率放大器的研究与设计[D];南京大学;2019年
8	章晋汉;GaN功率器件与CMOS工艺兼容技术及可靠性研究[D];电子科技大学;2018年
9	程洋;GaN基激光器的内部参数研究[D];中国科学技术大学;2018年
10	李建飞;GaN基HEMT和LED结构的光电特性研究[D];山东大学;2018年
11	刘芳;GaN基器件肖特基接触的新结构和新材料的研究[D];天津大学;2010年
12	龚欣;GaN异质结双极晶体管及相关基础研究[D];西安电子科技大学;2007年
13	雷本亮;氢化物气相外延生长GaN材料及其物性分析[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2006年

中国硕士学位论文全文数据库

前20条

1	许奇;基于VOPc的低阈值电压OTFT的制备与性能研究[D];长春理工大学;2019年
2	黄倩;高阈值电压增强型GaN基HEMT器件研究[D];西安电子科技大学;2019年
3	张靖维;不同栅偏下SiC MOSFET的辐照响应及退火恢复研究[D];北京工业大学;2019年
4	张姚;协同缓解电路老化与泄漏功耗的多阈值配置技术研究[D];合肥工业大学;2018年
5	丁力;N型多米诺门电路可靠性及泄漏功耗分析与优化[D];合肥工业大学;2018年
6	田野;GaN基FinFET器件工艺及特性分析[D];西安电子科技大学;2018年
7	张健行;FINFET器件特性与NBTI效应研究[D];西安电子科技大学;2018年
8	周德华;CMOS温度传感器电路的设计[D];东南大学;2018年
9	杨溢;增强型GaN Trench-Gate MIS-HFET阈值电压调控技术[D];电子科技大学;2018年
10	包慧萍;低压Trench MOSFET的辐射效应研究[D];电子科技大学;2018年
11	吴笛;高k+SiO_2栅全耗尽SOI MOSFET半解析模型的阈值电压和DIBL效应的研究[D];安徽大学;2018年
12	杨慧;无结晶体管阈值电压模型与新结构[D];南京邮电大学;2015年
13	冉帆;基于双阈值电压分配算法的芯片功耗优化设计及研究[D];浙江大学;2014年
14	张永欢;超低功耗近阈值电压电路运算放大器设计[D];北方工业大学;2015年
15	洪涛;硅纳米线晶体管阈值电压提取技术研究[D];湖南大学;2012年
16	侯子婕;SiC MOSFET器件设计及阈值电压稳定性研究[D];电子科技大学;2021年
17	吕圣凯;晶体管阈值电压偏差监测的测试芯片设计与研究[D];浙江大学;2020年
18	付立华;GaN基高电子迁移率场应管的可靠性研究[D];南京大学;2012年
19	崔晓然;分子束外延生长InAs/AlSb二维电子气结构[D];西安电子科技大学;2018年
20	牛丽;基于多沟道长度的多阈值电压低功耗技术的研究[D];安徽大学;2014年

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