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GaN基MOSFET低温特性的实验表征及分析(英文)

肖一平  王雅宁  刘超铭  张延清  齐春华  王天琦  马国亮  霍明学  陆裕东  岳龙  
【摘要】:深空探测活动需要电子元器件在极端低温环境(T40 K)中能正常使用。基于低温环境下的应用需求,本文研究了GaN基MOSFET在15~300 K温区的低温环境效应。实验结果显示,随着温度逐渐从300 K降低到15 K,饱和漏极电流和阈值电压均增大。低温下,转移特性和输出特性均变好。分析发现,较高的电子迁移率是GaN基MOSFET低温下电特性变化的主要原因。

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