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采用SF_6+O_2反应离子刻蚀聚酰亚胺膜

孙承龙  杜根娣  郭方敏  陈思琴  林绥娟  胡素英  
【摘要】:报道了在O_2或SF_6+O_2混合气体中反应离子刻蚀聚酰亚胺的基本原理.使用牛津等离子科技公司的Plasmalab μp型刻蚀仪,对厚度0—4μm的聚酰正胺膜,进行各向异性的刻蚀,获得了侧墙陡直的微细图形.

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1 柴常春,杨银堂,李跃进,贾护军,姬慧莲;β-SiC薄膜在SF_6和SF_6+O_2中的等离子体刻蚀研究[J];物理学报;1999年03期
2 张俊彦,刘维民,薛群基;聚酰亚胺膜的热性能分析[J];化学物理学报;1999年02期
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