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中性硼硅玻璃安瓿中铝、硅、硼元素的迁移量与其内表面脱片趋势关系的研究

赵泽馨  张迪  刘巧  赵龙山  
【摘要】:目的:考察中性硼硅玻璃安瓿中铝(Al)、硅(Si)、硼(B)元素的迁移量与内表面脱片趋势的关系。方法:采用亚甲基蓝染色及扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)法观察中性硼硅玻璃安瓿被侵蚀液侵蚀后的脱片情况,并通过电感耦合等离子体发射光谱(inductively coupled plasma optical emission spectrometer,ICP-OES)法测定不同侵蚀时间的中性硼硅玻璃安瓿中Al、Si、B元素的迁移量,根据迁移量的变化及脱片的趋势确定二者之间的关系。结果:电感耦合等离子体发射光谱法测定的3种元素质量浓度在0.2~10.0 mg·L~(-1)范围内线性关系良好,相关系数为0.999 4~0.999 9;回收率为88.2%~100.5%;3种元素检测下限分别为0.001 5μg·mL~(-1)(Al)、0.002 9μg·mL~(-1)(Si)、0.020 5μg·mL~(-1)(B)。随着时间增加,Al、Si、B的迁移量不断增大,对应时间点的脱片情况也不断加剧,二者呈同向变化关系。结论:可通过ICPOES检测药物溶液中Al、Si、B的含量来推断包装液体药物的中性硼硅玻璃安瓿内表面的脱片情况。

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