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激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究

刘传珍  杨柏梁  李牧菊  吴渊  张玉  李轶华  邱法斌  黄锡珉  
【摘要】:利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜,采用XRD、SEM等分析手段,进行了表征与分析,对晶化的阈值能量密度进行了计算,并对激光退火的机理进行了探讨。研究结果表明:a-Si晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关,在晶化区内,晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加。

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