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金属/半导体颗粒膜中的特殊磁电阻效应

黄宝歆  王军华  张林  刘宜华  梅良模  
【摘要】:用射频溅射法制备了Fe0.35/(In2O3)0.65颗粒膜。通过磁化率的测量得到铁磁-顺磁态的截止温度为50 K。在10 K冻结温度附近,材料由铁磁态转变为颗粒自旋结团态。在金属-半导体相变温度2.2 K附近得到最大为506%的磁电阻效应,与室温自旋相关隧穿磁电阻效应完全不同,这主要源自于载流子与局域磁无序间的相互作用。外加磁场使颗粒自旋结团取向一致,增加了电子在团簇间跳跃时的迁移率,可产生显著的磁电阻效应。

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