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脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜

黄继颇  王连卫  祝向荣  多新中  林成鲁  
【摘要】:c轴取向的AlN 具有优异的压电性和声表面波传输特性,已受到人们日益广泛的重视。文章报道了采用KrF脉冲准分子激光沉积工艺,在Si(100)衬底上成功地制备了c轴取向的AlN晶态薄膜。X射线衍射与傅里叶变换红外光谱的结果表明,在300 °C~800 °C衬底温度下,薄膜均只有(002)一个衍射峰,但随着温度的升高,薄膜的结晶质量变好;原子力显微镜对800 °C沉积薄膜观察结果显示,薄膜具有高度一致的柱状结构,平均晶粒大小为250 nm 。

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