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碳化硅ICP刻蚀速率及表面形貌研究

崔海波  梁庭  熊继军  喻兰芳  王心心  王涛龙  
【摘要】:SiC材料由于其高的禁带宽度(2.3~3.4 eV),10倍于Si的击穿电压而越来越受到重视,尤其是在高温环境中,是制作高温器件的理想材料。但同时由于SiC的高硬度,化学性质稳定,使得SiC的加工也变的较为困难。刻蚀作为加工SiC的理想手段运用也越来越广泛,文中就此展开研究,详细研究ICP刻蚀过程中各参数对其刻蚀速率及表面形貌的影响,时加工SiC具有一定指导意义、

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