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应变层超晶格界面电荷转移效应和应变效应的能带计算

黄美纯  柯三黄  王仁智  
【摘要】:利用冻结势LMTO方法计算应变层超晶格(SLS)的电子结构,发现平均键能E_m主要由界面电荷转移效应决定,而E_m和价带顶能量E_m之差△E_n~m主要由应变效应决定,用应变材料的E_m为参考能级,可以由应变体材料的△E_n~m值直接给出SLS的价带能量偏移△E_n,所用到的不同应变状态下的△E_n~m(a∥)图可作为能带裁剪和设计特殊性能的SLS系统的重要参考标准。

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