收藏本站
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

n-Ga_(1-x)Al_xAs的能带结构和霍尔迁移率

黄美纯  
【摘要】:本文提出一种分析三元半导体合金霍尔迁移率随组分变化的半经验方法。详细描述了Ga_(1-x)Al_xA_s电子迁移率变化与能带结构的关系,在导带Γ—L—X三能谷模型的基础上,引进能谷迁移率内插法,给出了霍尔迁移率随组分变化的理论公式,对Ga_(1-x)Al_xA_s进行具体计算发现同现有的实验结果符合得很好。理论曲线与实验数据的拟合采用L带电子迁移率作为可调参数,因此本方法允许从霍尔迁移率的实验研究中分析出至今了解甚少的L带迁移率的数值。研究表明,在0.15x0.6的Al组分区,L带对霍尔迁移率起着重要的作用,它使迁移率由Γ带之值过渡到X带之值的速率变慢。

知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 王阳元,韩汝琦,张国柄,吉利久;多晶硅电导特性(Ⅰ)[J];北京大学学报(自然科学版);1980年02期
2 许居衍 ,王立模;非均匀掺杂层的载流子平均迁移率及其应用[J];电子学报;1980年03期
3 邹广田,金曾孙,李白镛;高压下铜的3d能带结构[J];吉林大学学报(理学版);1980年03期
4 王明中;郑希特;汪克林;冼鼎昌;章正刚;;θ真空的能带结构[J];高能物理与核物理;1980年02期
5 王绍,栗振宝,张翠玲;生物组织能带结构的实验研究[J];吉林大学学报(医学版);1981年04期
6 黄美纯;n-Ga_(1-x)Al_xAs的能带结构和Hall迁移率[J];发光学报;1981年01期
7 黄美纯;n-Ga_(1-x)Al_xAs的能带结构和霍尔迁移率[J];厦门大学学报(自然科学版);1981年01期
8 郝迺斌,李桐柱,张其德,娄世庆,唐崇钦,匡廷云;叶绿体膜的结构与功能——Ⅷ.镁离子对叶绿体类囊体膜的叶绿素-蛋白复合体聚合的影响[J];生物化学与生物物理进展;1981年04期
9 杨继华 ,韦一能 ,陈燕珍;杂交水稻不同生育期过氧化物酶同工酶的研究[J];广西师范大学学报(自然科学版);1982年00期
10 王阳元,张国柄,徐瑶,李宝环;激光退火对多晶硅结构和电学性能的影响[J];北京大学学报(自然科学版);1982年04期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 冯兵;方文藻;李貅;刘汉民;刘在信;;瞬变电磁法在高阻围岩地区探测地下热水的理论与实践[A];1995年中国地球物理学会第十一届学术年会论文集[C];1995年
2 姜世明;徐朝晖;;几种无脊椎动物乳酸脱氯酶(LDH)同工酶的比较研究[A];中国细胞生物学学会第五次会议论文摘要汇编[C];1992年
3 王秀玲;彭士琪;王永蕙;;赞皇大枣过氧化物酶同工酶研究[A];河北省果树学会第十三届学术年会论文集[C];1995年
4 于振瑞;YasuhiroMatsumoto;;掺杂浓度对a-Si:H薄膜低温铝诱导晶化的影响[A];中国第六届光伏会议论文集[C];2000年
5 曲宝涵;马传利;杨爱萍;;TiO_2材料的半导化机理探讨[A];第六届全国气湿敏传感器技术学术交流会论文集[C];2000年
6 李宏年;徐亚伯;鲍世宁;李海洋;;K_3C_(60)200K附近的取向相变机理[A];2001年纳米和表面科学与技术全国会议论文摘要集[C];2001年
7 许雪梅;李宏建;彭景翠;瞿述;夏辉;;单层有机发光二极管的场强分布及J-V关系[A];第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];2001年
8 卢晓蓉;徐国跃;赵毅;汤浩;樊瑞新;杨德仁;;载流子浓度和迁移率对材料红外发射率的影响[A];2002年材料科学与工程新进展(下)——2002年中国材料研讨会论文集[C];2002年
9 张建立;黄美纯;李惠萍;朱梓忠;;直接带隙硅基超晶格Ⅵ/Si_m/Ⅵ/Si_m/Ⅵ[A];2002年材料科学与工程新进展(下)——2002年中国材料研讨会论文集[C];2002年
10 张彦广;胡煜峰;李洪超;王利祥;马东阁;;共轭主链结构三苯胺PPV聚合物发光二极管[A];2002年中国光学学会年会论文集[C];2002年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 尚也淳;SiC材料和器件特性及其辐照效应的研究[D];西安电子科技大学;2001年
2 李洪芹;赝配高速电子迁移率晶体管及其微波单片集成电路研究[D];中国科学院上海冶金研究所;2001年
3 姬广富;高能钝感炸药分子和晶体的结构和性能的理论研究[D];南京理工大学;2002年
4 李玉学;C_(60)环、C_(36)环、小直径碳管的性质及富勒烯新结构的理论研究[D];北京师范大学;2002年
5 杜世萱;低维C_(36)聚合物的理论研究[D];北京师范大学;2002年
6 王文峰;NiO固体及表面吸附反应电子结构的密度泛函研究[D];福州大学;2005年
7 孟醒;ABO_3类稀土过渡金属氧化物的第一原理研究[D];吉林大学;2006年
8 臧法欣;稀土配合物电致发光器件的瞬态特性和红外发光研究[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2004年
9 王小明;高迁移率蛋白Ⅰ的蛋白激酶C磷酸化及其对PDGF-B基因的转录调节作用[D];中国协和医科大学;2004年
10 洪焰;大鼠肝氨甲酰磷酸合成酶Ⅰ基因5'端上游DNA特异结合蛋白的研究[D];中国协和医科大学;1989年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 庄铭耀;高温霍尔测量和应用[D];福州大学;2002年
2 朱先宇;短沟道MOST温度特性的建模[D];安徽大学;2002年
3 段雪梅;红/吸电子取代基对PPV类聚合物光电性质影响的理论研究[D];东北师范大学;2002年
4 刘照军;纳米SnO_2微粒和酞菁化合物的拉曼光谱研究[D];河南大学;2002年
5 尹彦冰;取代金属酞菁的合成及其性质[D];东北师范大学;2003年
6 齐共金;二维声子晶体的带隙研究[D];中国人民解放军国防科学技术大学;2002年
7 郭婷;交流阻抗法TiO_2半导体光电催化特性表征[D];太原理工大学;2002年
8 黎威志;有机电致发光器件的设计及制备研究[D];电子科技大学;2003年
9 黄锐;Cahn-Hilliard方程的径向对称稳态解[D];吉林大学;2004年
10 孔海霞;电化学阻抗图谱法TiO_2薄膜光电极能带结构和催化活性研究[D];太原理工大学;2004年
中国重要报纸全文数据库 前10条
1 清华大学教授 顾秉林;科学态度和求实精神[N];人民日报海外版;2000年
2 青山 编译;CMOS技术:还有很长的路要走[N];中国电子报;2001年
3 李冬莉;以性别视角观人口转变[N];中国人口报;2001年
4 凌霏;化合物半导体:电子材料的新秀[N];解放日报;2001年
5 北方交通大学  滕 枫 徐 征 赵谡玲;既熟悉又陌生的LED[N];计算机世界;2002年
6 ;OLED产品可能延长3倍寿命[N];计算机世界;2003年
7 钱峰;悠悠万事 环保为先[N];人民日报;2003年
8 ;半导体器件及其制造方法[N];中国有色金属报;2003年
9 李红林 编译;MOSFET器件工艺有望得到改进[N];中国电子报;2004年
10 林玉;与国际接轨是陶瓷行业的重要课题[N];中国建材报;2004年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978