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纳米ITO粉体的团聚与分散分析

杨扬  傅清波  谢梦  
【摘要】:正铟锡氧化物(ITO)是一种N型半导体材料,通常包括ITO粉体、ITO靶材以及ITO导电薄膜。目前制备ITO粉体常见的方法有:水热合成法、共沉淀法机械混合法和喷雾热分解法。其中,国内主要以化学沉淀法为主,该方法具备制备成本低、方法简单、易于工业化生产优点,但最大的缺点是易出现纳米颗粒的团聚[1]。粉体发生团聚现象后,易形成较大的团聚体,从而影响其在ITO靶材中的性能应用,所以纳米ITO粉体的团聚已成为ITO靶材

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