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经验赝势法在GaAs/Ge,AlAs/GaAs和AlAs/Ge异质结能带排列理论计算中的应用

郑永梅  王仁智  何国敏  
【摘要】:在异质结能带排列的理论计算中,采用经验赝势能带计算方法,并将平均键能Em作为参考能级,计算了GaAs/Ge,AlAs/GaAs和AlAs/Ge三种异质结的整体能带结构和排序(包括价带、导带和带隙),获得完整且较准确的理论计算结果,其价带偏移ΔEv的计算值分别为057,050和107eV.

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