收藏本站
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

筒形高功率脉冲磁控溅射源的开发与放电特性

肖舒  吴忠振  崔岁寒  刘亮亮  郑博聪  林海  傅劲裕  田修波  潘锋  朱剑豪  
【摘要】:高功率脉冲磁控溅射以较高的溅射材料离化率及其所带来的高致密度、高结合力和高综合性能成为物理气相沉积领域的新宠,然而其沉积速率低、放电不稳定、溅射材料离化率不一等缺点阻碍了其在工业界的推广和应用.针对高功率脉冲磁控溅射技术固有的缺陷,我们从靶源出发,设计了一种筒形溅射源,将放电限制在筒形溅射源内部,放电不稳定喷溅出的"金属液滴"和溅射出来但并未离化的溅射材料无法被负电位的引出栅引出而影响薄膜沉积,只有离化的溅射材料可以引出并沉积形成薄膜,而电子将在筒形溅射源内部反复振荡,和未离化的溅射原子剧烈碰撞,带动进一步离化.本文通过磁场和放电的模拟发现筒形溅射源内部电子、离子呈花瓣状分布,8条磁铁均匀分布的结构具有最优的靶材利用率.据此开发的筒形溅射源可在高功率脉冲磁控溅射条件下正常放电,其放电靶电流随靶电压变化呈现出高功率脉冲磁控溅射典型的伏安特性特征,复合电流施加后,有明显的预离化作用.溅射"跑道"面积占靶材表面的60%以上,筒形溅射源中心的离子电流波形与靶电流波形类似,但相对靶电流延迟约40μs,数值约为靶电流的1/10.结果证明,筒形溅射源可有效地应用到高功率脉冲磁控溅射放电中,并成为促进其推广和应用的一种新路径.

知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 董浩,黎明锴,刘传胜,付强,卢宁,范湘军;中频脉冲磁控溅射制备氮化铝薄膜[J];武汉大学学报(理学版);2002年03期
中国重要会议论文全文数据库 前2条
1 吴忠振;巩春志;杨士勤;田修波;;偏压对高功率脉冲磁控溅射放电行为的影响[A];2010全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集[C];2010年
2 王雅欣;孟凡斌;薛俊明;周祯华;李养贤;;中频脉冲磁控溅射Zn0: Al透明导电膜工艺参数对材料性能的影响[A];第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议论文集[C];2004年
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 吴志立;闭合场非平衡脉冲磁控溅射沉积碳氮化铬薄膜结构与性能研究[D];大连理工大学;2010年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 崔韶强;类金刚石碳薄膜材料的高功率脉冲磁控溅射制备[D];山东大学;2015年
2 杨烜;Al_2O_3薄膜孪生靶高功率脉冲磁控溅射制备技术研究[D];哈尔滨工业大学;2015年
3 蔡明哲;复合脉冲磁控溅射放电特性及数值仿真研究[D];哈尔滨工业大学;2015年
4 严肃;高功率脉冲磁控溅射圆筒内表面制备Cr薄膜的研究[D];哈尔滨工业大学;2015年
5 张沛然;中频磁控和非平衡磁控放电特性及Cr-DLC膜层制备研究[D];哈尔滨工业大学;2015年
6 吴俊杰;不锈钢表面高功率脉冲磁控溅射制备Cr/CrN/Cu-TiN多层膜的研究[D];佳木斯大学;2015年
7 张海涛;离子源辅助高功率脉冲磁控溅射制备N掺杂p型ZnO薄膜[D];北京印刷学院;2015年
8 李小婵;复合高功率脉冲磁控溅射的高离化率等离子体特性研究[D];宁波大学;2014年
9 张凤晓;调制中频高功率脉冲磁控溅射系统的研制与TiAl薄膜制备工艺研究[D];哈尔滨工业大学;2013年
10 马永乐;高功率调制脉冲磁控溅射沉积纳米Cu薄膜工艺研究[D];大连交通大学;2012年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978