GaN基高压直流发光二极管制备及其性能分析
【摘要】：GaN基高压直流发光二极管工艺制备,采用蓝宝石图形衬底(PSS)外延片制备正梯形芯粒结构的GaN基高压直流LED.相对其他结构器件,该结构器件发光效率最高,封装白光后,在色温4500 K,驱动电流20 mA时,光效116.06 lm/W,对应电压50 V.测试其I-V曲线表明,开启电压为36 V,对应驱动电流为1.5 mA;在电流15 mA至50 mA时,光功率随驱动电流增加近似于线性增加,在此区域光效随电流增加而降低的幅度比较缓慢,表明GaN基高压直流LED适宜于采用大电流密度驱动,而不会出现驱动电流密度增加导致量子效率明显下降(efficiencydroop),为从芯片层面研究解决量子效率下降难题提供了一种新思路.
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