基于磁谐振器加载的宽频带超材料吸波体的设计
【摘要】：基于加载集总元件的磁谐振器设计了一种宽频带、极化不敏感和宽入射角的超材料吸波体.该吸波体的结构单元由加载集总元件的磁谐振器、介质基板和金属背板组成.仿真得到的加载集总元件和不加载集总元件情况下一维阵列结构吸波体的吸收率表明,相对于不加载集总元件的情况,加载集总元件的一维阵列结构吸波体能够实现宽频带吸波.仿真得到的集总电阻和集总电容取不同值时一维阵列结构吸波体的吸收率表明,集总电阻和集总电容都存在一个最佳值,此时吸波体的吸收率最高、吸收带宽最宽.仿真得到的基板有耗和无耗情况下一维阵列结构吸波体的吸收率表明,吸波体内的能量损耗主要源于磁谐振器中加载的集总电阻,与基板的介质损耗关系不大.仿真得到的二维阵列结构吸波体在不同极化角和不同入射角下的吸收率表明,该吸波体具有极化不敏感和宽入射角特性.
|
|
|
|
| 1 |
顾超;屈绍波;裴志斌;徐卓;柏鹏;彭卫东;林宝勤;;基于磁谐振器加载的宽频带超材料吸波体的设计[J];物理学报;2011年08期 |
| 2 |
;[J];;年期 |
| 3 |
;[J];;年期 |
| 4 |
;[J];;年期 |
| 5 |
;[J];;年期 |
| 6 |
;[J];;年期 |
| 7 |
;[J];;年期 |
| 8 |
;[J];;年期 |
| 9 |
;[J];;年期 |
| 10 |
;[J];;年期 |
| 11 |
;[J];;年期 |
| 12 |
;[J];;年期 |
| 13 |
;[J];;年期 |
| 14 |
;[J];;年期 |
| 15 |
;[J];;年期 |
| 16 |
;[J];;年期 |
| 17 |
;[J];;年期 |
| 18 |
;[J];;年期 |
| 19 |
;[J];;年期 |
| 20 |
;[J];;年期 |
|
手机打开
论文排版
快捷付款方式
订购知网充值卡
订购热线
帮助中心