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Eu掺杂TbMnO_3多晶材料的介电性质

郭熹  王霞  郑鹉  唐为华  
【摘要】:采用固相反应法制备了Tb0.8Eu0.2MnO3多晶材料.对样品的X射线衍射(XRD)分析表明Eu3+固溶于TbMnO3中.测量了样品在低温(100K≤T≤300K)和低频下(200Hz≤f≤100kHz)的复介电性质.在此温度区间内发现了两个介电弛豫峰.经分析认为低温峰(T≈170K)起源于局域载流子漂移引起的偶极子极化效应,而高温峰(T≈290K)则是由离子电导产生的边界和界面层的电容效应引起的.电阻率的测量显示在低温下(T≈230K)存在明显的导电机制转变.

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