收藏本站
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

六方AlN本征缺陷的第一性原理研究

耶红刚  陈光德  竹有章  张俊武  
【摘要】:用基于密度泛函理论平面波赝势法首先对六方AlN本征点缺陷(氮空位、铝空位、氮替代铝、铝替代氮、氮间隙、铝间隙)存在时的晶格结构进行优化,得到其稳定结构;然后通过各缺陷形成能的计算可得知其在生长过程中形成的难易程度;最后从态密度的角度对各种本征点缺陷引起的缺陷能级及电子占据情况进行了分析.发现除氮空位外其他本征缺陷在带隙中形成的能级都很深,要得到n型或p型AlN必须要引入外来杂质.计算得到的本征缺陷能级对于分析AlN的一些非带边辐射机理有重要帮助.

知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 李晓云,施书哲,丘泰,徐洁;热压烧结AlN-BN复合陶瓷的制备及介电性能[J];电子元件与材料;2003年06期
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978