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Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的In气氛扩散热处理研究

李万万  孙康  
【摘要】:为了满足辐射探测器件的需要,将生长得到的Cd_(1-x)Zn_xTe晶体在In气氛下进行退火处理能有效提高晶体的电阻率等性能.退火处理过程的实质是一个扩散过程,因此研究扩散系数与Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的性能特别是电阻率变化之间的关系具有重要的意义.建立了退火处理过程中Cd_(1-x)Zn_xTe晶体材料电阻率及导电类型变化与杂质的扩散系数之间关系的模型.结合实验数据,获得了1073,973和873K下In在Cd0·9Zn0·1Te晶体中的扩散系数并估算了其激活能.提出了一种确定浅施主杂质在半导体中的扩散系数的新方法.通过使用获得的扩散系数,模拟了1073,973和873K下及饱和In气氛下,退火时间对Cd0·9Zn0·1Te晶体电阻率及导电类型变化的影响,所得结果与实验相符.

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