收藏本站
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs半导体量子阱光辐射-热离子制冷

韩鹏  金奎娟  周岳亮  周庆莉  王旭  赵嵩卿  马中水  
【摘要】:采用数值计算方法分析了GaAsGa1-xAlxAs半导体量子阱的光辐射热离子制冷.以漂移扩散模型为基础,通过电流连续性方程和泊松方程自洽地计算出在外加正向偏压的条件下半导体内部的载流子分布情况,并在此基础上计算了阱内载流子的发光复合和俄歇复合,从而确定了半导体异质结量子阱光辐射热离子制冷的最优条件.进一步分析了不同Al组分的Ga1-xAlxAs材料以及不同的掺杂浓度对制冷效果的影响,为该领域的实验工作提供了极有价值的参考.

知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 高鼎三;量子阱激光器[J];半导体光电;1981年02期
2 蒋维栋;Si在GaP(111)衬底上的分子束外延[J];复旦学报(自然科学版);1987年04期
3 师庆华;;GaAsP/GaAs异质结的MOCVD生长机理[J];液晶与显示;1987年01期
4 卢学坤,王迅;半导体异质结界面能带排列的实验研究[J];物理学进展;1991年04期
5 ;物理学进展第11卷总目录[J];物理学进展;1991年04期
6 王仁智,黄美纯;异质结能带边不连续性的第一性原理计算[J];中国科学A辑;1992年10期
7 谢剑钧,陆栋,张涛;半导体异质结(111)面的界面偶极子及其对能带偏移的影响[J];物理学报;1993年04期
8 徐毓龙,周晓华,蔡式东,徐玉成;高电子迁移率晶体管及其应用[J];物理;1994年12期
9 陈开茅,贾勇强,吴克,金泗轩,李传义,周锡煌,顾镇南;固体C_(70)/P型Si接触的电学性质[J];半导体学报;1995年10期
10 沈 华,谢廷贵,王余姜,蔡玉霜;二氧化锡/多孔硅/硅的吸附特性[J];厦门大学学报(自然科学版);1995年05期
中国重要会议论文全文数据库 前3条
1 李亮;李广海;张立德;;单晶铋纳米线阵列的可控生长[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ[C];2004年
2 谭红琳;王雪雯;;GaAs与Si之间过渡层的设计及其分析[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ[C];2004年
3 徐章程;;亚单层沉积的InGaAs/GaAs量子点异质结与激光器(英文)[A];京津激光界青年科学家论坛报告选[C];2005年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978