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等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼

曾湘波  廖显伯  王博  刁宏伟  戴松涛  向贤碧  常秀兰  徐艳月  胡志华  郝会颖  孔光临  
【摘要】:用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B .选用Si片作衬底 ,硅烷 (SiH4 )作硅源 ,硼烷 (B2 H6 )作掺杂气体 ,Au作催化剂 ,生长温度 4 4 0℃ .基于气 液 固 (VLS)机制 ,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制 .PECVD法化学成分配比更灵活 ,更容易实现纳米线掺杂 ,进一步有望生长硅纳米线pn结 ,为研制纳米量级器件提供技术基础

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