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高T_c超导体的反铁磁理论计算

杜安  魏国柱  聂惠权  
【摘要】:考虑到高Tc超导材料层状桔构特点,从三维各向异性Hubbard模型出发,在大U时导出了自旋波线性近似下的有效哈密顿量。利用格林函数运动方程技术,计算了系统的子晶格磁化强度、内能、比热、平行磁化率和垂直磁化率等物理量。结果表明,层间和层内反铁磁耦合强度之比δ=J/J对这些物理量有重要影响。在低温T2J(2+δ)/k_B下,确定了特征温度T_0=2J(2δ(2+δ))~(1/2)/k_B,分别给出了TT_0和TT_0时,这些物理量的渐近表达式。

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