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SnO_2纳米带的水辅助生长与表征

黄在银  柴春芳  吴健  袁爱群  谭学才  周泽广  刘绍刚  
【摘要】:以高纯Sn粉为原料,采用水辅助生长法在850℃下合成了SnO2纳米带,用SEM、TEM、XRD、EDX、HRTEM和SAED对其形貌、结构和成份进行了表征,对SnO2纳米带的光致发光和红外谱图进行了分析,探讨了水辅助生长SnO2纳米带的化学原理和生长机制。结果表明:用水辅助生长法制备的SnO2纳米带产量高、结构均匀,XRD衍射图与SnO2的标准图完全一致,纳米带的宽度为70~100nm,厚度为5~8nm,长度可达数十微米;SnO2纳米带光致发光在617nm和651nm处有2个强峰,在446nm处有一个弱峰,这些都是由氧空位引起的;SnO2纳米带的红外谱图中560.6cm-1处的峰属于表面振动模式;水辅助生长SnO2纳米带的可能机制是VS生长机制。

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