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多晶硅太阳电池的等离子体预处理研究

黄岳文  季凯春  李华维  孙励斌  徐晓群  陈斌  
【摘要】:采用 H_2、NH_3和 H_2+NH_3等离子体在沉积氮化硅薄膜之前对多晶硅片进行预处理,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)制备氮化硅薄膜,然后印刷烧结。利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)和紫外可见近红外分光光度计(UV-VIS)等手段研究了等离子体预处理对多晶硅少子寿命的影响以及等离子体预处理对氮化硅薄膜 FTIR 光谱的影响和多晶电池性能的影响。结果表明:经等离子体预处理后多晶硅的少子寿命有所提高,使用 H_2+NH_3混合等离子体预处理后,制备的多晶电池的性能有明显提高,短路电流能提高约7%。

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