直流辉光放电a-Si∶H在曝光态和退火态的光电导对温度及光强的依赖特性
【摘要】：本文报道了直流辉光放电本征α-Si:H薄膜的电学和光学参数的测试结果,着重讨论了曝光态和退火态光电导的温度及光强依赖特性。发现样品在退火态时靠近室温以下有热猝灭现象;在曝光态时该热猝灭谷消失。光电导的光强依赖权重γ(σ_(ρh)∞F~γ)是温度和光强的函数,曝光态γ比退火态大,且在低温强光时γ1,出现超线性。表明禁带中存在对电子俘获截面不同的带隙态;延长曝光不仅增加新的复合中心,还改变原有复合中心的俘获截面。
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