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界面修饰对SnO_2基钙钛矿太阳能电池的影响研究

王艳香  高培养  范学运  李家科  郭平春  黄丽群  孙健  
【摘要】:在Sn O_2作为电子传输层(ElectronTransportLayer,ETLs)的基础上,使用十六烷基三甲基溴化铵(C_(16)H_(33)(CH_3)_3NBr,CTAB)对ETLs进行界面修饰,CTAB起到填充孔隙和钝化表面缺陷的作用。分别研究了0.005 mol/L、0.010 mol/L、0.015mol/LCTAB溶液的掺杂浓度对器件效率的影响,探究了不同浓度对其影响的机理,通过SEM、AFM、PL、EIS、J-V以及透过率测试,对样品的表面形貌,物相结构,以及光电性能等参数进行了系统地研究。证实当界面修饰浓度为0.010 mol/L时,器件拥有16.90%的最佳光电转换效率(Photoelectric Conversion Efficiency, PCE),填充因子(Fill Factor, FF)为74.80%,短路电流密度(Short-circuit Current Density, JSC)为20.53 m A/cm~2,开路电压(Open-circuit Voltage, VOC)为1.10 V。

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