收藏本站
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

In_xGa_(1-x)N/GaN量子点中类氢杂质态结合能

郑冬梅  戴宪起  
【摘要】:在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的InxGa1-xN/GaN柱形量子点中类氢杂质态结合能随量子点的结构参数(高度、半径)I、n组分和杂质位置的变化规律。结果表明:类氢杂质位于量子点中心时,杂质态结合能随量子点高度的增加先增大后减小,存在最大值;随量子点半径增大而减小;而随着In组分的增加,杂质态结合能增大;杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面过程中,杂质态结合能增大;量子点内外材料的电子有效质量的失配使杂质态结合能减小。

知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前3条
1 赵玉岭;类氢杂质对束缚激子基态能和结合能的影响[J];南阳师范学院学报;2005年09期
2 赵凤岐;萨茹拉;乌仁图雅;;氮化物抛物量子阱中类氢杂质态能量[J];发光学报;2005年06期
3 赵凤岐;萨茹拉;;在外电场作用下有限抛物量子阱中类氢杂质态结合能[J];半导体学报;2006年05期
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 王志平;抛物量子阱中的类氢杂质态和激子[D];内蒙古大学;2005年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978