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氮化铝陶瓷的制造与应用

毛寒松  王传声  崔嵩  
【摘要】:正 长期以来,绝大多数功率混合集成电路的陶瓷封装材料一直沿用Al_2O_3和BeO陶瓷,但由于性能、环保、成本等因素逐渐显露出已不能完全适合功率电子器件发展的需要,因此,一种综合性能优越的新型电子陶瓷——AlN陶瓷,无疑将成为传统Al_2O_3和BeO封装和基板的替代材料。 AIN是一种纤锌矿结构的合成Ⅲ-Ⅴ化合物,于19世纪60年代被发现。尽管单晶AlN理论热导率达到

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