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SiCl_4-H_2外延系统的Si迁移反应

徐宝琨  
【摘要】:本文用热力学方法研究了SiCl_4-H_2外延系统中的各种腐蚀反应和沉积反应。所得结果可以用于认识硅外延生长过程中的硅迁移效应。

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