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10 MeV高能电子辐照对4H-SiC晶体结构和电学性质的影响

刘晓星  袁智明  李岳彬  李根  
【摘要】:本文研究了10 MeV电子辐照对4H-SiC的晶体结构和电学性能的影响. X射线衍射和拉曼光谱分析结果表明:1.29×1019、2.60×1019和3.90×10~(19)cm~(-2)的电子辐照剂量对样品的晶体结构和晶型无显著影响,剂量达到5.20×10~(19)cm~(-2)后,样品内部会产生轻微的晶格畸变.通过非接触式电阻测量仪分析样品的电阻率,显示随着辐照累积剂量的增加,样品的电阻率逐渐增加,电阻分布逐渐均匀.

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