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热灯丝射频等离子体CVD法立方氮化硼薄膜某些性质的研究

廖克俊  王万录  
【摘要】:本文研究了热灯丝射频等离子体CVD法合成的立方氮化硼薄膜(c-BN),反应气体是8_2H_6和NH_3,衬底材料为Si单晶。通过扫描电镜、红外吸收谱和X射线衍射分析指出,生长出的c-BN簿膜的质量很好。实验结果表明,c-BN膜的电子结构和光学性质与沉积条件密切有关。文中对膜的生长机构也进行了讨论。

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