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基于原子层沉积的氧化锆薄膜工艺优化研究

张禹  韦习成  张浩  
【摘要】:利用原子层沉积技术(Atomic layer deposition,ALD)进行ZrO_2薄膜工艺研究,获得了低温下ZrO_2薄膜ALD的最佳工艺条件。分析了在低温下前驱体脉冲时间,吹扫时间生长工艺条件对薄膜性能的影响。以四(二甲基氨)基锆(TDMAZ)和H_2O为前驱体,制备了均匀性良好,表面粗糙度低,可见光透过率高,水汽阻挡效果良好的ZrO_2薄膜。

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1 方明;离子体辅助TMA催化TPS快速原子层沉积SiO_2研究[D];北京印刷学院;2015年
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