收藏本站
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

声表面波用压电晶体的新进展(英文)

徐家跃  武安华  陆宝亮  张爱琼  范世■  夏宗仁  
【摘要】:报道了我们在Li2 B4O7、Sr3 Ga2 Ge4O14 、LiNbO3 、LiTaO3 等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展。采用改进型坩埚下降法成功生长了直径 3~ 4英寸的Li2 B4O7晶体 ,并实现了批量生产。作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一 ,Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体具有最大的压电系数。报道了直径 2英寸Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体的生长结果 ,测试了该晶体的压电性能。在CO2 (90 % )、H2 (10 % )混合气氛中 ,分别在 70 0℃和 4 5 0℃下对LN和LT晶片进行化学还原处理 ,成功制备了 3英寸LN和LT低静电黑片 ,不仅减少了器件制作

知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 Ta-WeiFu ,W.R.Wilcox ,李明文;垂直坩埚下降法中隔热层对界面形状和位置稳定性的影响[J];人工晶体学报;1981年03期
2 吕志新,郑宇,于长江;坩埚下降法技术的发展[J];人工晶体学报;1984年04期
3 崔凤柱,王绍平,蒋维范;真空坩埚下降法晶体生长中传热的有限差分数值分析[J];硅酸盐学报;1988年03期
4 张吉林,洪广言;Ce:BaAlF_5晶体生长及其光谱特性[J];人工晶体学报;1989年03期
5 何德玶,魏炳波,舒光冀,汪凤泉;振动对凝固固液界面处液相温度分布的影响[J];人工晶体学报;1989年03期
6 解学文,金德荣,于素蓉,吴军;氟离子选择电极用氟化镧晶体的生长[J];人工晶体学报;1989年03期
7 何德玶,陈锋,舒光冀,汪凤泉,朱正华;振动干扰波形对枝晶生长的影响[J];人工晶体学报;1989年04期
8 王春生,赵超趣,徐玉恒,赵业权,邵纪群;坩埚下降法生长Bi_(88)Sb_(12)单晶体[J];人工晶体学报;1990年03期
9 王碧华;碘化铯单晶的生长[J];激光与红外;1992年02期
10 徐家跃,孙仁英,林雅芳,范世 ,徐学武;铌酸钾锂晶体的生长研究[J];无机材料学报;1998年04期
中国硕士学位论文全文数据库 前2条
1 贺宇;新型铁电单晶Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3的生长[D];北京工业大学;2000年
2 朱兴华;硫镓银(AgGaS_2)多晶合成与单晶生长研究[D];四川大学;2002年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978