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磁场对Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs异质结系统中施主结合能的影响

张敏  班士良  
【摘要】:对半导体单异质结系统,引入三角势近似异质结势,考虑外界恒定磁场对界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量的影响,利用变分法对磁场下Ga1-xAlxAs/GaAs异质结系统中杂质态的结合能进行了数值计算.并讨论了结合能随杂质位置、电子面密度和Al组分的变化关系及磁场对结合能的影响.结果表明:杂质态结合能随磁场的增强而显著增大.

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