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a-C∶H做硅太阳电池AR膜的研究

燕子屏  白培光  刘永信  
【摘要】:本文报道了低压气相直流辉光放电沉积a-C:H膜和膜的部分物理、化学性质.这些性质非常接近于硅电池AR膜的最佳要求.在硅单晶太阳电池表面沉积1000(?)左右的a-C:H膜作为AR膜,在部分电池上获得了与SiO AR膜可比的结果.

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