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氢化非晶硅光电导研究中的新现象

施伟华  陈坤基  杜家方  李志锋  
【摘要】:研究了衬底温度(Ts)从室温至623K生长的氢化非晶硅(a—Si:H)的光电导的温度依赖关系,首次发现了出现光电导的热淬灭(TQ)的温度区随a—Si:H的Ts的降低系统地移向较低温度区.分析了a—Si:H中这种新现象与费米能级位置以及能隙中缺陷态密度分布的关系.

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