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扩硼Si单晶激光退火的研究

范得培  朱兵  陈南斗  
【摘要】:对于经过电光调Q的Nd~(3+):YAG的激光器退火的(111)和(001)硅单晶片进行了X射线发散光束和霍尔效应的Van der Pauw法测量,发现激光退火后晶体的点阵常数收缩约2.2×10~(-3),表面载流子浓度增加约一个数量级。

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