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GaAs MESFET在抗辐射领域的应用

高剑侠  林成鲁  严荣良  
【摘要】:详细论述了多种辐照源辐射GaAsMESFET器件和电路产生的SEU(单粒子翻转)效应,辐照源包括脉冲激光、质子、中子和电子束等。同时还讨论了计算机模拟辐射产生SEU的过程和机制。研究表明:1)在低温生长GaAs阻挡层的MESFET电路,有较强的抗SEU能力;2)在MESFET中,产生SEU的原因在于辐射导致了漏极收集电荷的增加,而且,电荷收集增强机制有三种:a)背沟道导通机制,b)双极增益机制,c)离子分流机制

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