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一种双扩散p阱nMOS器件新结构

秦祖新  曹广军  刘三清  
【摘要】:本文介绍了一种适用于VDMOS功率集成电路的双扩散p阱nMOS器件新结构,该结构具有与VDMOS工艺完全兼容和加工工艺简单的特点。利用这种结构可实现nMOS处理电路与衬底间的pn结隔离,并且隔离电压接近VDMOS管的耐压。通过调节源、漏扩散窗口间距,可以在小范围内调整nMOS管的阈值电压。这种双扩散nMOS器件结构,特别适合于制作单驱动器件的MOS功率集成电路。

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