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0.5μm SOI CMOS工艺开发与器件建模

张书霖  陈磊  严琼  张伟  刘盛富  苏杰  赖宗声  石艳玲  徐世美  杨飞  
【摘要】:对0.5μmSOI CMOS工艺进行了开发,得到一套完整良好的工艺流程参数。根据流片测试结果,进行SOI CMOS器件的建模;利用BSI MproPlus软件中的BSI MSOI MOS模型,根据MOS管宽长比进行器件分类和建模,得到模型参数。对于部分耗尽SOI器件的固有浮体效应和kink效应,采用体接触方法来缓解其负面影响。

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