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双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流-电压特性的影响

高嵩  石广元  张颖  赵野  
【摘要】:通过对VDMOS结构器件测量的I—V特性和模拟结果的分析 ,发现在此结构中 ,寄生的双极管对器件性能具有不良影响 .可以来用一种新型的具有浅扩散p+区的自对准VDMOS结构 ,以完全消除寄生的BJT导通机制 ,这对MOS技术的发展十分有益

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