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GD-a-SiC∶H场效应管特性的研究

王印月  王浩  张仿清  
【摘要】:本文对 GD—a—SiC∶H SiO_2绝缘栅场效应管进行了研制,并对 GD—a—Si(0.8)C_(0.2)∶HMOSFET 特性进行了测量研究.

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