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磁控溅射沉积参数对硼碳氮薄膜沉积速率的影响

徐淑艳  马欣新  唐光泽  孙明仁  
【摘要】:利用直流磁控溅射技术制备了三元硼碳氮(B-C-N)薄膜,通过改变靶功率、基体偏压、沉积温度和励磁线圈电流,在相同沉积时间内得到不同厚度的薄膜。采用纳米压入仪分析了沉积参数改变对B-C-N薄膜沉积速率的影响规律。结果表明,在低靶功率和高励磁电流的条件下沉积的薄膜,随着靶功率和励磁电流的增加薄膜沉积速率呈线性增长;薄膜的沉积速率随基体偏压的增加呈抛物线状下降;薄膜的沉积速率受基体是否升温影响很大,而受基体所加温度大小影响较小。

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