收藏本站
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

64位平面双扩散单片存贮器芯片

B.Agusta  
【摘要】:正 本文将描述集成电路工艺在存贮器应用中的成功开拓。 两片相同的64位三维组织的单片硅存贮器芯片焊接点朝下安装在一块标准组件上,如图1所示构成高速不破坏读出缓冲存贮器。每个存贮芯片工作时功耗为112毫瓦,并给出差动集电极输出2毫安的“1”信号,相应的噪音信号可忽略。不破坏读“1”信号延迟为7毫

知网文化
中国知网广告投放
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978