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不同工艺条件对激光熔化多道沉积DD5单晶高温合金杂晶的影响

刘小欣  程序  王华明  李佳  
【摘要】:研究了基材热处理态和激光扫描速率对多道沉积DD5单晶高温合金沉积道内的杂晶(SGs)形核位置及数量的影响,探讨了不同条件下杂晶的形成机理。结果表明,当激光扫描速由5mm/s增大到20mm/s时,沉积道顶部的柱状晶-等轴晶转变(CET)导致杂晶数目减少;采用固溶方式处理基材时,沉积道底部杂晶的尺寸和数量较铸态基材的明显减小;沉积道之间的相互搭接不会产生新的杂晶;当采用固溶态基材、激光扫描速率为20mm/s时,基本可以得到无杂晶的多沉积道搭接界面。

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